Ioonplaadistamisel kasutatakse gaasi või aurustunud materjali ioniseerimiseks gaaslahendust vaakumi tingimustes. Gaasiioonide või aurustuvate materjaliioonide pommitamisel sadestatakse aurustunud materjal või selle reagendid töödeldavale detailile. See hõlmab magnetroni pihustamise ioonide katmist, reaktiivset ioonplaatimist, õõneskatoodilahendusega ioonplaatimist (õõneskatoodiga aurustamine) ja mitme -kaare ioonide katmist (katoodikaare ioonplaatimist). Ioonplaatimine ühendab hõõglahenduse ja plasmatehnoloogia vaakumaurustamisega, parandades oluliselt katte jõudlust ja laiendades selle kasutusala. Lisaks vaakumpihustamise eeliste jagamisele pakub ioonplaat ka tugevat kile adhesiooni, suurepäraseid difraktsiooniomadusi ja laia valikut kattematerjale.
Sellest tulenevalt on see viimastel aastatel nii riigisiseselt kui ka rahvusvaheliselt kiiresti arenenud. Ioonkatte põhiprintsiip on metalli või sulami aurude ioniseerimine, kasutades inertgaasi hõõg- või kaarlahendust. Ioonpindamine hõlmab kattematerjali (nt TiN ja TiC) kuumutamist, aurustamist ja sadestamist.
Kui aurustunud kattematerjali aatomid läbivad hõõgumistsooni, siis väike osa ioniseerub ja lendab elektrivälja mõjul tooriku poole, tabades pinda mitme tuhande elektronvoldi energiaga. Need võivad tungida läbi aluspinna mitme nanomeetri sügavusele, parandades oluliselt katte nakkuvust. Liitunud aurustunud materjali aatomid sadestatakse otse toorikule, moodustades kile. Inertgaasiioonide ja kattematerjali ioonide pihustamine tooriku pinnale eemaldab ka saasteained, parandades seeläbi nakkumist.
Ioonvaakumkatmismasinate, aurustuskatmismasinate ja magnetron-pihustamismasinate tehnoloogiad on erinevad. Nendel katmistehnoloogia põhimõtetel on ka omad eelised. Vastavalt kattematerjalile ja kilekihile saab valida erinevaid katmismeetodeid, et rahuldada turunõudlust.
